Mi SciELO
Servicios Personalizados
Articulo
Indicadores
- Citado por SciELO
Links relacionados
- Similares en SciELO
Compartir
Ingeniería Electrónica, Automática y Comunicaciones
versión On-line ISSN 1815-5928
Resumen
S. NAGY, Agnes y POLANCO RISQUET, Alicia. Efectos físicos en el transistor bipolar: modelación y extracción de parámetros. EAC [online]. 2015, vol.36, n.1, pp. 31-41. ISSN 1815-5928.
La complejidad creciente de los sistemas electrónicos, el escalado de las dimensiones con nuevos nodos tecnológicos y el incremento de las frecuencias de trabajo, demandan circuitos integrados cada vez más exactos y estables. Para lograrlos se requiere de programas de simulación cada vez más precisos durante el proceso de diseño. El PSPICE, ampliamente utilizado para simular el comportamiento general de los circuitos integrados no considera mucho de los efectos físicos que se encuentran en los dispositivos reales. Para superar estas limitaciones, hace varias décadas se están desarrollando modelos compactos como los de HICUM y MEXTRAM basados en los efectos físicos que tienen lugar dentro de los dispositivos integrados. En este trabajo se presentan algunos aspectos físicos que no han sido estudiados con profundidad, tal como la influencia del coeficiente de emisión del emisor en la expresión del voltaje base-emisor del transistor bipolar, la explicación y modelación física del coeficiente de emisión, el efecto de la capacidad neutral en la modelación de la capacidad del emisor, así como un método de extracción del potencial de contacto VDE (T), cuyos resultados muestran una concordancia excelente con los resultados teóricos.
Palabras clave : efectos físicos; coeficiente de emisión; capacidad del emisor; potencial de contacto; transistor bipolar.