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<journal-title><![CDATA[Ingeniería Energética]]></journal-title>
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<publisher-name><![CDATA[Universidad Tecnológica de La Habana José Antonio Echeverría, Cujae]]></publisher-name>
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<article-title xml:lang="es"><![CDATA[Implementación de un balastro electrónico con microcontrolador PIC para lámparas de sodio de alta presión]]></article-title>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[Implementation of electronic ballast with PIC microcontroller for high pressure sodiumlamps]]></article-title>
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<institution><![CDATA[,Instituto Superior Politécnico José Antonio Echeverría, Cujae Centro de Investigaciones y Pruebas Electro Energéticas, (CIPEL) ]]></institution>
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<self-uri xlink:href="http://scielo.sld.cu/scielo.php?script=sci_arttext&amp;pid=S1815-59012013000300004&amp;lng=en&amp;nrm=iso"></self-uri><self-uri xlink:href="http://scielo.sld.cu/scielo.php?script=sci_abstract&amp;pid=S1815-59012013000300004&amp;lng=en&amp;nrm=iso"></self-uri><self-uri xlink:href="http://scielo.sld.cu/scielo.php?script=sci_pdf&amp;pid=S1815-59012013000300004&amp;lng=en&amp;nrm=iso"></self-uri><abstract abstract-type="short" xml:lang="es"><p><![CDATA[En el presente trabajo se muestra un prototipo de balasto electrónico, que garantiza la operación exitosa en alta frecuencia de una lámpara de sodio de alta presión de 70 W, pues opera libre de resonancia acústica (RA). Se efectúa un análisis del fenómeno de la resonancia acústica, profundizando en su origen y predicción teórica. Es descrita la técnica de modulación en frecuencia utilizada para evitar este fenómeno, implementada en el microcontrolador de 8 bit PIC16F877 de la Microchip, la cual es activada en dependencia de la variación de los parámetros eléctricos de la lámpara, como son tensión y corriente. Son mostradas las etapas que dan conformación a dicho prototipo, además de presentarse las simulaciones realizadas a los principales elementos que componen el balasto. Los resultados prácticos alcanzados por el prototipo son expuestos, los cuales se dividen por etapas para analizar el correcto funcionamiento de cada una ellas.]]></p></abstract>
<abstract abstract-type="short" xml:lang="en"><p><![CDATA[In the present work is offered a prototype of electronic ballast that guarantees the correctly operation in high frequency of a high pressure sodium lamp of 70 W, because it operates free of acoustic resonance (RA). An analysis of the phenomenon of the acoustic resonance is made, deepening in its origin and theoretical prediction. The modulation technique is described in frequency used to avoid this phenomenon, implemented in the microcontrolador of 8 bit PIC16F877 of Microchip, which is activated in dependence of the variation of the electric parameters of the lamp, like they are tension and current. They are shown the stages that give conformation to this prototype, besides the simulations carried out to the main elements that compose the ballast being presented. The practical results reached by the prototype are exposed, which are divided by stages to analyze the correct operation of each a them.]]></p></abstract>
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<kwd lng="es"><![CDATA[balasto electrónico]]></kwd>
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<kwd lng="es"><![CDATA[resonancia acústica]]></kwd>
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</front><body><![CDATA[ <p align="right"><font size="2" face="Verdana"><b>TRABAJO TEORICOEXPERIMENTAL</b>    </font></p>     <p>&nbsp; </p>     <P>      <P>     <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b><font size="4">Implementaci&oacute;n de un    balastro electr&oacute;nico con microcontrolador PIC para l&aacute;mparas de    sodio de alta presi&oacute;n</font></b></font>     <P>&nbsp;      <P>      <P><font size="3" face="Verdana"><b>Implementation of electronic ballast with    PIC microcontroller for high pressure sodiumlamps</b></font><font size="2" face="Verdana">    </font>     <P>&nbsp;     ]]></body>
<body><![CDATA[<P>&nbsp;      <P>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>Ing. Armando Manuel Guti&eacute;rrez Men&eacute;ndez,    Dr. Alexander Fern&aacute;ndez Correa, MSc. Yandry Rodr&iacute;guez Dom&iacute;nguez</b></font>      <p><font size="2" face="Verdana">Ingeniero en electr&oacute;nica, Doctor en Ciencias    T&eacute;cnicas. Profesor Auxiliar, Departamento Docente del Centro de Investigaciones    y Pruebas Electro Energ&eacute;ticas (CIPEL), Instituto Superior Polit&eacute;cnico    Jos&eacute; Antonio Echeverr&iacute;a, Cujae, La Habana, Cuba.</font>      <P>&nbsp;      <P>      <P>&nbsp; <hr>     <P>      <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="Verdana"><b>RESUMEN</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">En el presente trabajo se muestra un prototipo    de balasto electr&oacute;nico, que garantiza la operaci&oacute;n exitosa en    alta frecuencia de una l&aacute;mpara de sodio de alta presi&oacute;n de 70    W, pues opera libre de resonancia ac&uacute;stica (RA). Se efect&uacute;a un    an&aacute;lisis del fen&oacute;meno de la resonancia ac&uacute;stica, profundizando    en su origen y predicci&oacute;n te&oacute;rica. Es descrita la t&eacute;cnica    de modulaci&oacute;n en frecuencia utilizada para evitar este fen&oacute;meno,    implementada en el microcontrolador de 8 bit PIC16F877 de la Microchip, la cual    es activada en dependencia de la variaci&oacute;n de los par&aacute;metros el&eacute;ctricos    de la l&aacute;mpara, como son tensi&oacute;n y corriente. Son mostradas las    etapas que dan conformaci&oacute;n a dicho prototipo, adem&aacute;s de presentarse    las simulaciones realizadas a los principales elementos que componen el balasto.    Los resultados pr&aacute;cticos alcanzados por el prototipo son expuestos, los    cuales se dividen por etapas para analizar el correcto funcionamiento de cada    una ellas. </font>     <P><font size="2" face="Verdana"><b>Palabra clave:</b> balasto electr&oacute;nico,    l&aacute;mpara de sodio de alta presi&oacute;n, resonancia ac&uacute;stica.</font>  <hr>     <P><font size="2" face="Verdana"><b>ABSTRACT</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">In the present work is offered a prototype of    electronic ballast that guarantees the correctly operation in high frequency    of a high pressure sodium lamp of 70 W, because it operates free of acoustic    resonance (RA). An analysis of the phenomenon of the acoustic resonance is made,    deepening in its origin and theoretical prediction. The modulation technique    is described in frequency used to avoid this phenomenon, implemented in the    microcontrolador of 8 bit PIC16F877 of Microchip, which is activated in dependence    of the variation of the electric parameters of the lamp, like they are tension    and current. They are shown the stages that give conformation to this prototype,    besides the simulations carried out to the main elements that compose the ballast    being presented. The practical results reached by the prototype are exposed,    which are divided by stages to analyze the correct operation of each a them.    </font>     <P><font size="2" face="Verdana"><b>Key words:</b> ballast electronic, high pressure    sodium lamp, acoustic resonance.</font>  <hr>     <P>&nbsp;     <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P><b><font size="3" face="Verdana">INTRODUCCI&Oacute;N</font></b>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Las l&aacute;mparas de descarga de alta intensidad    (LDAI) son utilizadas en diversas aplicaciones, dentro de esta categor&iacute;a    se encuentran las l&aacute;mparas de sodio de alta presi&oacute;n, las cuales    poseen una elevada vida promedio y excelente eficacia. Las cuales de ser operadas    en alta frecuencia usando balastos electr&oacute;nicos, lograr&iacute;an alcanzar    prestaciones energ&eacute;ticas superiores, flexibilidades de atenuaci&oacute;n    de la luz y aumento del tiempo de vida de las l&aacute;mparas. Sin embargo,    el desarrollo de esta tecnolog&iacute;a se ha visto limitado por el fen&oacute;meno    de las resonancias ac&uacute;sticas, el cual se presenta al operar estas l&aacute;mparas    en alta frecuencia. En su forma m&aacute;s sencilla este problema se manifiesta    como un parpadeo en la luz generada por la l&aacute;mpara debido a deformaciones    del arco de descarga y puede ser tan intenso que es posible causar da&ntilde;os    f&iacute;sicos en el balasto y una destrucci&oacute;n de la misma l&aacute;mpara.    En el presente trabajo se propone el dise&ntilde;o e implementaci&oacute;n de    un prototipo de balasto experimental para una l&aacute;mpara de vapor de sodio    de alta presi&oacute;n, que brinde soluci&oacute;n al fen&oacute;meno de resonancias    ac&uacute;sticas usando una t&eacute;cnica de modulaci&oacute;n en frecuencia,    cuando es detectada la presencia del problema a trav&eacute;s del monitoreo    de los par&aacute;metros el&eacute;ctricos de la l&aacute;mpara. El m&eacute;todo    de detecci&oacute;n de RA y la t&eacute;cnica de estabilizaci&oacute;n son implementadas    utilizando un microcontrolador PIC16F877A. </font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">El art&iacute;culo se compone de 10 secciones,    en las que se encuentran introducci&oacute;n y conclusiones del trabajo. En    las primeras 2 se describe el fen&oacute;meno de RA, as&iacute; como las caracter&iacute;sticas    del m&eacute;todo de detecci&oacute;n y la t&eacute;cnica de estabilizaci&oacute;n    utilizada en el balasto. Las pr&oacute;ximas 3 secciones evidencian el funcionamiento    de las etapas que componen el balasto propuesto a partir de simulaciones efectuadas,    adem&aacute;s, presentan la estrategia de control empleada y los par&aacute;metros    de la misma. Las ultimas 3 exponen el balasto implementado y los resultados    alcanzados por el mismo trabajando en operaci&oacute;n estable y cuando se est&aacute;    en presencia de las RA en la l&aacute;mpara. </font>     <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>RESONANCIAS AC&Uacute;STICAS</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">La principal explicaci&oacute;n para el surgimiento    de las resonancias ac&uacute;sticas en LDAI se basa en que la l&aacute;mpara    al ser alimentada con una forma de onda de alta frecuencia, la potencia el&eacute;ctrica    instant&aacute;nea se encuentra variando. Dicha potencia est&aacute; relacionada    con la temperatura instant&aacute;nea en la descarga, de este modo, estas variaciones    de temperatura, a su vez, provocan variaciones de presi&oacute;n en el gas del    tubo de descarga [1]. Si la frecuencia a la que est&aacute; variando la presi&oacute;n    en el gas coincide, o est&aacute; muy cercana a una frecuencia de resonancia    mec&aacute;nica del tubo de descarga, aparecen ondas de presi&oacute;n estacionarias    en el interior del mismo, este fen&oacute;meno es conocido como resonancias    ac&uacute;sticas. En la predicci&oacute;n te&oacute;rica de las RA es necesario    recurrir a la teor&iacute;a de la mec&aacute;nica de los fluidos. La expresi&oacute;n    que permite el c&aacute;lculo de las frecuencias de resonancias para un tubo    cil&iacute;ndrico es mostrada en la <a href="#e1">ecuaci&oacute;n 1</a>. </font>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P align="center"><font size="2" face="Verdana"> </font> <img src="/img/revistas/rie/v34n3/e0104313.gif" width="318" height="50">    <a name="e1"></a>     
<P>      <P><font size="2" face="Verdana">D&oacute;nde:    <br>   </font><font size="2" face="Verdana">m: N&uacute;mero de di&aacute;metros nodales    (0, 1, 2, 3...).    <br>   </font><font size="2" face="Verdana">n: N&uacute;mero de c&iacute;rculos nodales    (0, 1, 2, 3...).    <br>   </font><font size="2" face="Verdana">n<sub>z</sub>: Orden de la resonancia (0, 1, 2, 3...).    </font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">La <a href="#f1">figura 1</a>, muestra el comportamiento    del arco el&eacute;ctrico de una l&aacute;mpara de vapor de sodio de alta presi&oacute;n    cuando opera con y sin resonancia ac&uacute;stica. En presencia de RA (<a href="#f1">figura    1 a)</a>) se puede observar como el arco el&eacute;ctrico se encuentra distorsionado,    siendo la trayectoria del mismo mayor que cuando opera libre de este fen&oacute;meno    (<a href="#f1">figura 1 b)</a>), en donde el arco tiende a presentar una trayectoria    recta. </font>      <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f0104313.gif" width="517" height="222">    <a name="f1"></a>     
<P><font size="2" face="Verdana"><b>T&Eacute;CNICAS PARA EVITAR EL FEN&Oacute;MENO    DE RESONANCIAS AC&Uacute;STICAS EN L&Aacute;MPARAS DE SODIO DE ALTA PRESI&Oacute;N</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Para poder suprimir las resonancias ac&uacute;sticas    en la l&aacute;mpara es necesario detectar la ocurrencia de estas. Los m&eacute;todos    de detecci&oacute;n de RA se basan en las perturbaciones en baja frecuencia    causadas por las mismas, esto ha sido demostrado en [2], al ocurrir este fen&oacute;meno    los efectos del mismo se manifiestan alterando la corriente y la tensi&oacute;n    en la l&aacute;mpara. As&iacute;, con el objetivo de mejorar la sensibilidad    de la medici&oacute;n, algunos m&eacute;todos proponen utilizar la informaci&oacute;n    contenida tanto en la corriente como en la tensi&oacute;n, midiendo potencia    o resistencia. </font>     <P>      <P><font size="2" face="Verdana">El m&eacute;todo de detecci&oacute;n desarrollado    en este trabajo es el de la medida de la resistencia, pues seg&uacute;n [3],    es el que presenta una mayor sensibilidad al fen&oacute;meno de RA. Este consiste    en calcular el valor de la resistencia que presenta la l&aacute;mpara cada cierto    intervalo de tiempo, la que es comparada con el valor de resistencia que corresponde    a valores nominales de tensi&oacute;n y corriente. Se ha demostrado en [4],    que cuando tiene lugar el fen&oacute;meno de las RA, la resistencia de la l&aacute;mpara    tiende a presentar un aumento significativo con respecto a su valor en estado    estable. Esto puede ser apreciado en la <a href="/img/revistas/rie/v34n3/f0204313.gif">figura 2</a>, en donde se presenta el comportamiento de las magnitudes de tensi&oacute;n,    corriente e impedancia en una l&aacute;mpara de vapor de sodio de alta presi&oacute;n    para un rango de frecuencia determinado. Observ&aacute;ndose que para un valor    de frecuencia cercano a los 4 kHz ocurre la mayor desviaci&oacute;n en los valores    medios de los par&aacute;metros el&eacute;ctricos, para ese caso se est&aacute;    en presencia de RA, lo que es comprobado por inspecci&oacute;n visual. </font>      
<P>      <P>      <P>     ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P><font size="2" face="Verdana">La estrategia de estabilizaci&oacute;n implementada    para evitar las RA es la modulaci&oacute;n en frecuencia, la cual consiste en    variar la frecuencia de una se&ntilde;al a partir de la forma de onda de otra    que posee una menor frecuencia. Este proceso, parte de dos se&ntilde;ales: una    se&ntilde;al de alta frecuencia que es llamada se&ntilde;al portadora, y otra    de baja frecuencia llamada se&ntilde;al moduladora o modulante [5]. Esta t&eacute;cnica    asegura una atenuaci&oacute;n y dispersi&oacute;n del espectro de frecuencia,    en mayor o menor grado en dependencia de la se&ntilde;al modulante utilizada,    al hacerlo se busca que el t&eacute;rmino espectral m&aacute;ximo en la potencia    de l&aacute;mpara se aten&uacute;e lo suficiente para no generar las resonancias    ac&uacute;sticas. </font>     <P>      <P><font size="2" face="Verdana">La se&ntilde;al modulante puede ser una se&ntilde;al    peri&oacute;dica (se&ntilde;al cuadrada, sinusoidal, diente de sierra, etc.)    o bien, una se&ntilde;al aleatoria (ruido gaussiano, ruido blanco, etc.). En    la <a href="#f3">figura 3</a>, se presentan los espectros en frecuencia para    diferentes se&ntilde;ales modulantes peri&oacute;dicas y aleatorias. </font>      <P>      <P>      <P>      <P>      <P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f0304313.gif" width="472" height="166"><a name="f3"></a>     
]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P><font size="2" face="Verdana">En la <a href="#f3">figura 3</a>, tambi&eacute;n    son mostrados los espectros en frecuencia para se&ntilde;ales modulantes no    peri&oacute;dicas. Con este tipo de se&ntilde;ales se obtiene un espectro continuo,    a diferencia de las se&ntilde;ales peri&oacute;dicas en las cuales el espectro    es discreto. Con este tipo de se&ntilde;ales se tiene una mejor atenuaci&oacute;n    del t&eacute;rmino espectral m&aacute;ximo con un ancho de banda menor, lo cual    permite tener una reducci&oacute;n en la interferencia electromagn&eacute;tica    que se genera, sin embargo esto no garantiza la no ocurrencia de las RA. La    modulaci&oacute;n con se&ntilde;ales modulantes no peri&oacute;dicas presentan    mejores resultados que las peri&oacute;dicas pero su implementaci&oacute;n es    mucho m&aacute;s compleja y engorrosa de realizar en un microcontrolador. Debido    a esto se decidi&oacute; trabajar con se&ntilde;ales peri&oacute;dicas, de ellas    la se&ntilde;al modulante que brinda los mejores resultados es la triangular,    siendo esto demostrado en [6]. En la cual se tiene una atenuaci&oacute;n uniforme    de las componentes espectrales que es directamente proporcional al ancho de    banda de la se&ntilde;al modulada. </font>      <P>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>BALASTO ELECTR&Oacute;NICO</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Seg&uacute;n la literatura [2, 7-8], el esquema    del balasto electr&oacute;nico m&aacute;s utilizado es uno compuesto por 5 etapas.    Las mismas son: filtro de entrada, rectificador, convertidor de corriente directa    a corriente directa (CD-CD), inversor e ignitor. Este brinda la soluci&oacute;n    m&aacute;s apropiada para cumplir los requerimientos establecidos para los equipos    de iluminaci&oacute;n, pues se basa en el uso de soluciones activas, las cuales    consisten de un convertidor CD-CD para corregir el factor de potencia y variar    la tensi&oacute;n del bus de directa a la salida del mismo. Adem&aacute;s con    la ayuda de un filtro de entrada, es posible disminuir el contenido de los arm&oacute;nicos    y mantenerlos dentro de los l&iacute;mites establecidos, se utiliza un inversor    para la alimentaci&oacute;n de la l&aacute;mpara en alta frecuencia, mientras    que el ignitor se encarga de crear el pulso de alta tensi&oacute;n que inicia    la descarga en la l&aacute;mpara. Teniendo en cuenta las caracter&iacute;sticas    de cada una de las topolog&iacute;as por etapa, el balasto propuesto para su    implementaci&oacute;n se presenta en la <a href="#f4">figura 4</a>, el cual    se encuentra compuesto por un filtro de entrada LC, un puente rectificador de    onda completa con filtro capacitivo a la salida (C<sub>A</sub>), para la etapa    del convertidor CD-CD se selecciona el convertidor elevador, como inversor el    escogido fue el medio puente, el ignitor a utilizar es de pulsos superpuestos    en serie con la l&aacute;mpara y con un inductor (L<sub>L</sub>), el cual es    el encargado de limitar la corriente en el momento del encendido. </font>      <P>      <P>      <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f0404313.gif" width="562" height="256"><a name="f4"></a>     
<P>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">El c&aacute;lculo de los componentes se realiza    teniendo en cuenta que en estado normal de operaci&oacute;n la l&aacute;mpara    comienza trabajando con valores nominales de tensi&oacute;n y corriente a una    frecuencia de 35 kHz, mientras que el convertidor CD-CD opera a una frecuencia    de 16 kHz, en modo de conducci&oacute;n discontinua (MCD), con un ciclo &uacute;til    de 0,257, estos pueden apreciarse en [9]. La simulaci&oacute;n de las etapas    del esquema de la figura 4, se efect&uacute;a usando los elementos reales obtenidos    a partir de los resultados alcanzados en los c&aacute;lculos te&oacute;ricos,    a trav&eacute;s del programa Multisim de la compa&ntilde;&iacute;a National    Instruments. Las capturas de las formas de onda en la simulaci&oacute;n se realizan    con el osciloscopio de la firma Tektronik, modelo TDS 2024. A continuaci&oacute;n    se muestran las formas de ondas de las etapas principales obtenidas en las simulaciones.    </font>     <P>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>Inversor medio puente y tensi&oacute;n en    l&aacute;mpara</b></font>      <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="Verdana">La tensi&oacute;n RMS de salida del inversor    debe ser de 150 V, pues es lo necesario para que en la l&aacute;mpara exista    aproximadamente los 90 V RMS, que corresponde a tensi&oacute;n nominal, para    que esto sea posible se necesita un nivel de directa de 300 V a la entrada del    inversor. La <a href="#f5">figura 5</a>, muestra la forma de onda de la tensi&oacute;n    a la salida del inversor (CH1) y la de l&aacute;mpara (CH2), obtenida en la    simulaci&oacute;n, se puede observar que la tensi&oacute;n de salida del inversor    apenas sobrepasa los 300 V pico a pico para una frecuencia de 35 kHz. Los resultados    brindados por la simulaci&oacute;n para el inductor seleccionado son una tensi&oacute;n    RMS en l&aacute;mpara de 87,56 V para una frecuencia de conmutaci&oacute;n de    35 kHz, siendo la tensi&oacute;n RMS de entrada de 150 V. </font>      <P>      <P>      <P>      <P>      <P>      <P>      <P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f0504313.gif" width="453" height="369"><a name="f5"></a>     
<P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="Verdana"><b>Convertidor elevador</b> </font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">La <a href="#f6">figura 6 a)</a>, recoge las    formas de ondas de los pulsos (CH1), la corriente (CH2) y la tensi&oacute;n    de drenaje a tierra (CH3) del MOSFET IRF840. Para medir indirectamente la corriente    a trav&eacute;s del MOSFET es necesario ubicar una resistencia de 0,5 &#937;    entre el terminal fuente del IRF840 y la tierra, por lo que aplicando la Ley    de Ohm se obtiene el valor de la misma, la tensi&oacute;n m&aacute;xima en la    resistencia es de 1,06 V por lo que la corriente posee un valor de 2,12 A. Las    oscilaciones que se aprecian en la forma de onda de la tensi&oacute;n de drenaje    a tierra es producto de las resonancias propias del inductor y las capacidades    par&aacute;sitas del sistema asociadas a &eacute;l, a medida que se agota la    energ&iacute;a en el inductor. La m&aacute;xima tensi&oacute;n alcanzada en    el MOSFET es de 301 V. En la <a href="#f6">figura 6 b)</a>, se muestran las    formas de onda de los pulsos (CH1) que se le suministran al MOSFET y la corriente    de entrada del convertidor (CH2). La que es monitoreada mediante una resistencia    de valor reducido (0,1 &#937;) ubicada a la entrada del convertidor CD-CD, en    donde se puede apreciar que el modo de conducci&oacute;n es discontinuo. </font>      <P>      <P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f0604313.gif" width="539" height="335">    <a name="f6"></a>     
<P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>Ignitor</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">El ignitor seleccionado para el prototipo propuesto    es el de pulsos superpuestos tipo serie, es alimentado mediante la red a 110    V, se utiliza un autotransformador, para obtener a partir de una entrada de    110 V, una salida de 220 V, la cual es rectificada y filtrada para obtener un    nivel de directa de 310 V aproximadamente. Esta tensi&oacute;n se aplica a un    divisor capacitivo resistivo con el fin de que la energ&iacute;a quede almacenada,    y pueda ser aplicada al enrollado primario del transformador de pulsos mediante    la pulsaci&oacute;n de un bot&oacute;n. Producto a que el transformador de pulsos    posee una elevada relaci&oacute;n de vueltas logra que en su secundario aparezca    un pulso de tensi&oacute;n de 3,5 kV, que ser&aacute; aplicada a la l&aacute;mpara    en superposici&oacute;n con la se&ntilde;al a la cual es alimentada. Una vez    que la l&aacute;mpara ha encendido, se cortocircuitar&aacute; manualmente del    secundario el transformador de pulso mediante un interruptor. </font>     ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>Control del convertidor elevador y del medio    puente inversor</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Un aspecto importante a tener en cuenta es que    no se usar&aacute; el convertidor CD-CD como corrector del factor de potencia.    Para la generaci&oacute;n del PWM del convertidor elevador se emplea el circuito    integrado TL3842, el cual es un controlador PWM en modo corriente. </font><font size="2" face="Verdana">El    circuito de control del inversor est&aacute; compuesto por el microcontrolador    PIC16F877 que proporciona una vez que inicia todo el sistema una se&ntilde;al    cuadrada con ciclo de trabajo del 50 % a 35 kHz, cuenta tambi&eacute;n con un    circuito impulsor de compuerta driver (circuito integrado IR2110) para activar    el dispositivo de potencia, MOSFET IRF840. Con el fin de evitar la aparici&oacute;n    de cortocircuitos durante la conmutaci&oacute;n de los transistores en la rama    se introduce un tiempo muerto. El mismo en este caso ha sido dise&ntilde;ado    mediante 4 compuertas NOR de tipo CMOS integradas en un mismo chip (4001B),    m&aacute;s dos etapas de retardo RC, con el fin de lograr 1 &igrave;S de tiempo    muerto. </font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>Circuitos de medici&oacute;n de la corriente    y tensi&oacute;n de la l&aacute;mpara</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Para determinar la ocurrencia de resonancia ac&uacute;stica    son medidas la corriente y la tensi&oacute;n de arco de la l&aacute;mpara, usando    sensores de efecto Hall de tensi&oacute;n (LV-25-P) y de corriente (LTS 6-NP).    El circuito de medici&oacute;n se encarga de amplificar y rectificar las se&ntilde;ales    medidas, con el fin de obtener una tensi&oacute;n de directa proporcional a    la tensi&oacute;n y corriente de la l&aacute;mpara. </font>     <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>ESTRATEGIA DE CONTROL PARA LA ELIMINACI&Oacute;N    DE LAS RA</b></font>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P><font size="2" face="Verdana">El microcontrolador empleado para desarrollar    la estrategia de control es el PIC16F877A de la Microchip. Una vez que es energizado,    lo primero que ejecuta es la inicializaci&oacute;n de los par&aacute;metros    que intervienen en la t&eacute;cnica de modulaci&oacute;n en frecuencia, para    luego configurar sus perif&eacute;ricos. Estos son los temporizadores, modulaci&oacute;n    por ancho de pulso (PWM), puerto serie, conversor anal&oacute;gico digital (A/D)    del microcontrolador y el conversor digital anal&oacute;gico (D/A) MCP4921.    Este &uacute;ltimo es controlado con el objetivo de variar la tensi&oacute;n    de referencia del circuito integrado que gobierna al convertidor elevador, para    lo que establece 2,5 V en su salida de manera tal que cuando sea energizado    el circuito de potencia, el convertidor elevador comience entregando 300 V en    su salida. </font>     <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Se da inicio al tren de pulsos de 35 kHz a un    50 % de ciclo &uacute;til, que le es suministrado a los MOSFETs del medio puente    inversor. Para as&iacute; entrar en la rutina de encendido, la cual consiste    en una espera por una se&ntilde;al que indica que el circuito de fuerza ha sido    energizado, para entonces quedar midiendo la corriente de la l&aacute;mpara,    con el fin de saber si la l&aacute;mpara recibi&oacute; el pulso de alta tensi&oacute;n    proveniente del ignitor de forma manual. Si existe circulaci&oacute;n de corriente    por la l&aacute;mpara entonces se procede a una demora de 450 segundos con el    objetivo de que los par&aacute;metros el&eacute;ctricos de la l&aacute;mpara    alcancen valores nominales. Posteriormente se procede al c&aacute;lculo de la    resistencia, lo cual indica la ocurrencia de RA en caso que sobrepase un valor    prefijado. </font>     <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Si se produce RA, el microcontrolador PIC debe    ejecutar la t&eacute;cnica de modulaci&oacute;n seleccionada durante dos per&iacute;odos    de la se&ntilde;al modulante, para luego establecer una nueva frecuencia de    operaci&oacute;n que posea una diferencia de tres &#916;F respecto a la anterior,    el nuevo valor manifiesta su comportamiento seg&uacute;n el patr&oacute;n de    modulaci&oacute;n, es decir, aumenta su valor cada vez que ocurra RA hasta llegar    a la F<sub>m&aacute;x</sub>, una vez acontecido, la pr&oacute;xima vez que se ejecute la    modulaci&oacute;n, comienza a disminuir con cada aparici&oacute;n de RA, hasta    que alcance la F<sub>m&iacute;n</sub>.</font>     <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Una vez terminados los dos per&iacute;odos de    la se&ntilde;al modulante y fijada la nueva frecuencia de operaci&oacute;n es    necesario variar el nivel de tensi&oacute;n a la entrada de la etapa inversora,    con el objetivo de mantener la potencia constante en la l&aacute;mpara. Variando    la tensi&oacute;n de referencia de la etapa del convertidor CD-CD se logra variar    el nivel de tensi&oacute;n a la salida de la misma, lo cual se hace posible    a trav&eacute;s del conversor D/A controlado por el microcontrolador PIC. </font>     <P>      <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="Verdana"><b>GENERACI&Oacute;N DE LA SE&Ntilde;AL MODULADA    EN FRECUENCIA CON EL MICROCONTROLADOR</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Para lograr implementar la t&eacute;cnica de    modulaci&oacute;n en frecuencia en el microcontrolador, primeramente se crea    la se&ntilde;al portadora, esta se&ntilde;al es obtenida de la salida PWM del    microcontrolador, con un ciclo &uacute;til de un 50 %.La se&ntilde;al modulante    se logra concebir en el microcontrolador una vez discretizada y en dependencia    de los principales par&aacute;metros que la conforman, como se muestra en la    <a href="#f7">figura 7</a>, las variables conocidas son: frecuencia m&aacute;xima    (F<sub>m&aacute;x</sub>), frecuencia m&iacute;nima (F<sub>m&iacute;n</sub>),    per&iacute;odo de la se&ntilde;al (T) y paso de frecuencia (&#916;F).</font>      <P>      <P>      <P>      <P>      <P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f0704313.gif" width="408" height="246"><a name="f7"></a>     
<P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="Verdana">Es necesario para el correcto funcionamiento    del microcontrolador y los semiconductores fijar ciertas restricciones. La frecuencia    m&aacute;xima posible que puede alcanzar la se&ntilde;al portadora, es de 50    kHz, mientras que la m&iacute;nima posible posee un valor de 25 kHz, con este    rango de frecuencia se garantiza que las p&eacute;rdidas por conmutaci&oacute;n    en los semiconductores no presenten valores significativos, adem&aacute;s los    elementos almacenadores de energ&iacute;a podr&aacute;n ser de menor tama&ntilde;o    respecto a otros similares en baja frecuencia. Para lograr que no se repita    ning&uacute;n valor de frecuencia en la se&ntilde;al modulante se hace necesario    que el paso de frecuencia m&iacute;nimo posible tenga un valor de 450 Hz. </font>     <P>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>IMPLEMENTACI&Oacute;N DE ETAPAS</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">La <a href="#f8">figura 8</a>, muestra los circuitos    de potencia (circuito impreso inferior) y control (circuito impreso superior)    desarrollados. Los circuitos como el filtro de entrada, puente rectificador    y convertidor elevador, con su controlador, se construyeron como un solo m&oacute;dulo.    El inversor medio puente junto al circuito impulsador y el generador de tiempos    muertos conforman el segundo m&oacute;dulo y final de la placa de potencia,    el inductor en serie con la l&aacute;mpara y el ignitor se encuentran en placas    independientes. </font>      <P>      <P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f0804313.jpg" width="560" height="239"><a name="f8"></a>     
<P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>Circuitos de potencia y de medici&oacute;n</b></font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">La alimentaci&oacute;n de los circuitos de fuerza    y control son independientes, la tensi&oacute;n de entrada de la etapa de potencia    es 110 V (RMS) a 60 Hz, mientras que el control recibe 12,5 V de tensi&oacute;n    de corriente directa de una fuente auxiliar. La <a href="#f9">figura 9 a)</a>,    muestra el ignitor de pulsos superpuestos serie utilizado, la <a href="#f9">figura    9 b)</a>, presenta el filtro de salida confeccionado por tres inductores en    paralelo con el fin de que circule la corriente nominal por la l&aacute;mpara,    mientras que en la <a href="#f9">figura 9 c)</a>, se presenta el circuito desarrollado    para la medici&oacute;n y acondicionamiento de la tensi&oacute;n y corriente    de la l&aacute;mpara. </font>      <P>      <P>      <P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f0904313.jpg" width="564" height="198"><a name="f9"></a>     
<P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>RESULTADOS OBTENIDOS PARA CONDICIONES NOMINALES    EN LA L&Aacute;MPARA</b></font>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P><font size="2" face="Verdana">Las formas de onda que son mostradas a continuaci&oacute;n    han sido captadas usando el osciloscopio digital RIGOL DS1022C, las cuales se    obtienen cuando circula aproximadamente corriente nominal (0,77 A RMS) en la    l&aacute;mpara para una tensi&oacute;n RMS de 85,2 V a una frecuencia de conmutaci&oacute;n    de 35 kHz. </font>     <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>Convertidor elevador</b> </font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Los resultados pr&aacute;cticos demuestran que    en la resistencia ubicada en la fuente del MOSFET existe una tensi&oacute;n    m&aacute;xima de 1,08 V (ver <a href="#f10">figura 10 a)</a>), por lo que la    m&aacute;xima corriente por el mismo es de 2,16 A para una frecuencia de conmutaci&oacute;n    de 15,48 kHz y un t<sub>ON</sub> de 17 &#956;S. La <a href="#f10">figura 10    b)</a>, muestra la forma de onda de los pulsos que llegan a la puerta del IRF840    y la tensi&oacute;n de drenaje a tierra del mismo, la cual es monitoreada a    trav&eacute;s de una realimentaci&oacute;n del inductor del convertidor CD-CD,    la relaci&oacute;n entre las tensiones de la realimentaci&oacute;n es de 6,    por tanto, cuando figure 50,4 V en la tensi&oacute;n de realimentaci&oacute;n,    la tensi&oacute;n real en el MOSFET ser&aacute; de 302,4 V, siendo esta la m&aacute;xima    tensi&oacute;n a soportar por el IRF840, la cual coincide con la tensi&oacute;n    de salida del convertidor elevador. </font>      <P>      <P>      <P>      <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f1004313.jpg" width="574" height="268"><a name="f10"></a>     
<P>      <P>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>Inversor medio puente y tensi&oacute;n en    la l&aacute;mpara</b> </font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">La <a href="#f11">figura 11 a)</a>, muestra la    tensi&oacute;n de salida del inversor utilizado, como se puede observar es una    onda cuadrada de 306 V pico a pico, para lograr una tensi&oacute;n RMS de 147    V a una frecuencia de 34,97 kHz, similar a la obtenida en las simulaciones efectuadas.    A la vez que se le suministre el pulso de alta tensi&oacute;n, proveniente del    ignitor serie utilizado, los par&aacute;metros el&eacute;ctricos y flujo luminoso    de la l&aacute;mpara demoran alrededor de 6 minutos en alcanzar sus valores    nominales, una vez transcurrido este tiempo se captura la forma de onda de la    tensi&oacute;n en la l&aacute;mpara, la cual es mostrada en la <a href="#f11">figura    11 b)</a>, la tensi&oacute;n RMS alcanzada en la misma es de 85,2 V a una frecuencia    de 34,72 kHz. La corriente en la l&aacute;mpara alcanza un valor de 0,77 A RMS.    </font>      <P>      <P>      <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f1104313.jpg" width="541" height="242"><a name="f11"></a>     
<P>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana"><b>RESULTADOS DE LA MODULACI&Oacute;N EN FRECUENCIA    AL DETECTAR RA</b> </font>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Con el fin de que acontezca resonancia ac&uacute;stica    en la l&aacute;mpara para comprobar el funcionamiento de la t&eacute;cnica de    modulaci&oacute;n desarrollada, se energiza la misma a diferentes frecuencias    de conmutaci&oacute;n; los resultados obtenidos manifiestan a partir de los    40 kHz la ocurrencia de RA en la l&aacute;mpara. La <a href="#f12">figura 12    a)</a>, muestra un instante de la modulaci&oacute;n en frecuencia en que ocurre    la transici&oacute;n de un valor de frecuencia (33,78 kHz) a otro (25 kHz),    el paso de frecuencia asignado es de 9 kHz, con el objetivo de que sea apreciable    el cambio de frecuencia. </font><font size="2" face="Verdana">La <a href="#f12">figura    12 b)</a>, muestra la tensi&oacute;n de la l&aacute;mpara una vez terminada    la t&eacute;cnica de modulaci&oacute;n en frecuencia, se aprecia la frecuencia    a la que estabilizan los par&aacute;metros el&eacute;ctricos, la cual es de    25 kHz para una tensi&oacute;n RMS de 87,3V, mientras que la corriente fue de    0,79 A. </font>      <P>      <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>      <P align="center"><img src="/img/revistas/rie/v34n3/f1204313.jpg" width="536" height="251"><a name="f12"></a>     
<P>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Se puede afirmar que la t&eacute;cnica de modulaci&oacute;n    en frecuencia cumple con el objetivo para la que es desarrollada. Esta suprime    el fen&oacute;meno de RA en la l&aacute;mpara, ya que logra estabilizar la tensi&oacute;n    y corriente a una nueva frecuencia de operaci&oacute;n, alcanz&aacute;ndose    a 25 kHz, potencia nominal en la l&aacute;mpara despu&eacute;s de aplicada la    t&eacute;cnica de modulaci&oacute;n en frecuencia. Esto tambi&eacute;n garantiza    el correcto funcionamiento de la rutina que calcula la nueva tensi&oacute;n    en el bus de directa para el nuevo valor de frecuencia de conmutaci&oacute;n.    </font>     <P>      <P>      <P><b><font size="3" face="Verdana">CONCLUSIONES </font></b>      <P>      <P><font size="2" face="Verdana">Con el prototipo experimental desarrollado se    logra un balasto electr&oacute;nico experimental, que logra operar a la l&aacute;mpara    de vapor de sodio de alta presi&oacute;n en alta frecuencia, libre de resonancia    ac&uacute;stica. El m&eacute;todo de detecci&oacute;n utilizado es efectivo    para determinar la ocurrencia de este fen&oacute;meno en la l&aacute;mpara,    pues al medir la resistencia se aprovecha la informaci&oacute;n que contiene    las se&ntilde;ales de tensi&oacute;n y corriente de la presencia de RA. Al producirse    un aumento de la resistencia real de la l&aacute;mpara se produce la t&eacute;cnica    de estabilizaci&oacute;n implementada, la cual brinda resultados aceptables    para evitar la ocurrencia de resonancias ac&uacute;sticas en la l&aacute;mpara.    Ha sido demostrado el correcto funcionamiento de las etapas de potencia del    balasto implementado, pues las mediciones pr&aacute;cticas efectuadas corresponden    a las simulaciones realizadas. </font>      ]]></body>
<body><![CDATA[<P>&nbsp;     <P>      <P>      <P><font size="3" face="Verdana"><b>REFERENCIAS</b></font>      <P>      <!-- ref --><P> <font face="Verdana" size="2">1. de GROOT, J.J.; Van VLIET, J.A.J.M., &quot;The    High-Pressure Sodium Lamp&quot;. 1st edition, London: Mac Millan Educational,    1986, 328p.     </font>      <!-- ref --><p><font face="Verdana" size="2">2. Moo, C. S., <i>et al</i>., &quot;High-Frequency    Electronic Ballast with AutoTracking Control for Metal Halide Lamps&quot;. Industry    Applications Conference, 38th IAS Annual Meeting, octubre de 2003, vol.2, p.    1025-1029.     </font>      <!-- ref --><p><font face="Verdana" size="2">3. Peng, H.; <i>et al</i>., &quot;Evaluation    of Acoustic Resonance in Metal Halide (MH) Lamps and An Approach to Detect its    Occurrence&quot;. Industry Applications Conference. Thirty-Second IAS Annual    Meeting, IAS '97, IEEE, 1997, vol.3, p. 2276-2283, New Orleans, LA, USA.     </font>      <!-- ref --><p><font face="Verdana" size="2">4. Rodr&iacute;guez Dom&iacute;nguez, Y., &quot;Desarrollo    de una Instalaci&oacute;n Experimental para el Estudio de las Resonancias Ac&uacute;sticas    en L&aacute;mparas de Descarga de Alta Intensidad&quot;. Tesis de maestr&iacute;a,    Ciudad de la Habana, Cuba, 2010.     </font>      <!-- ref --><p><font face="Verdana" size="2">5. Botello M&aacute;rquez, M., &quot;Aplicaci&oacute;n    de un microcontrolador para la eliminaci&oacute;n de resonancias ac&uacute;sticas    en l&aacute;mparas de alta presi&oacute;n mediante la implementaci&oacute;n    de t&eacute;cnicas de modulaci&oacute;n en frecuencia&quot;. Tesis de maestr&iacute;a,    Cuernavaca, Morelos, M&eacute;xico, 2008.     </font>      <!-- ref --><p><font face="Verdana" size="2">6. G&oacute;mez Correa, J., &quot;Estrategias    de control en l&aacute;mparas de alta presi&oacute;n para la eliminaci&oacute;n    de resonancias ac&uacute;sticas&quot;. Tesis de doctorado, Cuernavaca, Morelos,    M&eacute;xico, 2009.     </font>      <p><font face="Verdana" size="2">7. Liang, T.J.; <i>et al</i>., &quot;Two-Stage    High Power Factor Electronic Ballast for Metal-Halide Lamps&quot;. IEEE Transactions    on Power Electronics, vol.24, p. 2959-2966, diciembre de 2009. </font>      <!-- ref --><p><font face="Verdana" size="2">8. Holtslag, Antonius H., &quot;Method and Controller    for detecting arc instabilities in gas discharge lamps&quot;. Pats of USA, #    US5569984, 29 de octubre de 1996.     </font>      ]]></body>
<body><![CDATA[<!-- ref --><p><font face="Verdana" size="2">9. Men&eacute;ndez Guti&eacute;rrez, A.M., &quot;Implementaci&oacute;n    de un balasto electr&oacute;nico con microcontrolador PIC para l&aacute;mparas    de sodio de alta presi&oacute;n&quot;. Tesis de diploma, Ciudad de la Habana,    Cuba, 2012.     </font>      <P>&nbsp;     <P>&nbsp;     <P><font size="2" face="Verdana">Recibido: Diciembre del 2012    <br>   </font><font size="2" face="Verdana">Aprobado: Marzo del 2013 </font>      <P>&nbsp;     <P>&nbsp;     <P><font size="2" face="Verdana"><i>Armando Manuel Guti&eacute;rrez Men&eacute;ndez</i>.    </font><font size="2" face="Verdana">Ingeniero electricista, en su condici&oacute;n    de Adiestrado. Centro de Investigaciones y Pruebas Electro Energ&eacute;ticas,    (CIPEL). Instituto Superior Polit&eacute;cnico Jos&eacute; Antonio Echeverr&iacute;a,    Cujae, La Habana, Cuba. e-mail: <a href="mailto:armandogm@electrica.cujae.edu.cu">armandogm@electrica.cujae.edu.cu</a>    </font>      <P>      ]]></body>
<body><![CDATA[ ]]></body><back>
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<label>1</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
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<surname><![CDATA[de GROOT]]></surname>
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<source><![CDATA[The High-Pressure Sodium Lamp]]></source>
<year>1986</year>
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<page-range>328</page-range><publisher-loc><![CDATA[London ]]></publisher-loc>
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<source><![CDATA[Evaluation of Acoustic Resonance in Metal Halide (MH) Lamps and An Approach to Detect its Occurrence]]></source>
<year>1997</year>
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