<?xml version="1.0" encoding="ISO-8859-1"?><article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">
<front>
<journal-meta>
<journal-id>1815-5928</journal-id>
<journal-title><![CDATA[Ingeniería Electrónica, Automática y Comunicaciones]]></journal-title>
<abbrev-journal-title><![CDATA[EAC]]></abbrev-journal-title>
<issn>1815-5928</issn>
<publisher>
<publisher-name><![CDATA[Universidad Tecnológica de La Habana José Antonio Echeverría, Cujae]]></publisher-name>
</publisher>
</journal-meta>
<article-meta>
<article-id>S1815-59282014000300008</article-id>
<title-group>
<article-title xml:lang="es"><![CDATA[Análisis de la eficiencia de un Multiplicador de Tensión de baja potencia de entrada en cuanto al número de etapas]]></article-title>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[Analysis ofefficiency on the number of stages of a low-power Voltage Multiplier]]></article-title>
</title-group>
<contrib-group>
<contrib contrib-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Barrionuevo Ortiz]]></surname>
<given-names><![CDATA[Nelson Iván]]></given-names>
</name>
</contrib>
<contrib contrib-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Cruz Hurtado]]></surname>
<given-names><![CDATA[Juan Carlos]]></given-names>
</name>
</contrib>
</contrib-group>
<aff id="A01">
<institution><![CDATA[,Instituto Superior Politécnico José A. Echeverría, Cujae Centro de Investigaciones en Microelectrónica (CIME) ]]></institution>
<addr-line><![CDATA[La Habana ]]></addr-line>
<country>Cuba</country>
</aff>
<pub-date pub-type="pub">
<day>00</day>
<month>12</month>
<year>2014</year>
</pub-date>
<pub-date pub-type="epub">
<day>00</day>
<month>12</month>
<year>2014</year>
</pub-date>
<volume>35</volume>
<numero>3</numero>
<fpage>90</fpage>
<lpage>101</lpage>
<copyright-statement/>
<copyright-year/>
<self-uri xlink:href="http://scielo.sld.cu/scielo.php?script=sci_arttext&amp;pid=S1815-59282014000300008&amp;lng=en&amp;nrm=iso"></self-uri><self-uri xlink:href="http://scielo.sld.cu/scielo.php?script=sci_abstract&amp;pid=S1815-59282014000300008&amp;lng=en&amp;nrm=iso"></self-uri><self-uri xlink:href="http://scielo.sld.cu/scielo.php?script=sci_pdf&amp;pid=S1815-59282014000300008&amp;lng=en&amp;nrm=iso"></self-uri><abstract abstract-type="short" xml:lang="es"><p><![CDATA[Los multiplicadores de tensión permiten la conversión de señales de tensión alterna a tensión de directa, a la vez que se eleva la magnitud de la tensión. Estos son empleados en la transmisión de energía inalámbrica, recolección de energía, sistemas RFID y otras; donde la potencia disponible es muy poca. Resulta de importancia obtener la mayor potencia posible a la salida, exigiendo eficiencia por parte del multiplicador de tensión. En este trabajo se analiza la eficiencia de conversión y potencia de salida de los multiplicadores de tensión en cuanto al número de etapas. Se muestra que el multiplicador de tensión de una etapa es el más eficiente, y que al emplear una red de acoplamiento de impedancia produce mayor tensión de salida que los multiplicadores de tensión de más etapas. Se construye un multiplicador de tensión de una etapa con diodos schottky. El mismo se evalúa con una red acoplamiento LC con varias inductancias para seleccionar el mejordesempeño. Se obtiene una eficiencia de conversión superior al 57 % a partir de una potencia de entrada de -2 dBm, lo cual posibilita su empleo en aplicaciones de baja energía.]]></p></abstract>
<abstract abstract-type="short" xml:lang="en"><p><![CDATA[Voltage multipliers allow the conversion of alternating signals to a direct component of voltage, while the magnitude of the voltage increases. These are used in wireless power transmission, energy harvesting, RFID and other systems; where the available power is very low. It is important to obtain the highest possible output power, demanding efficiency form the voltage multiplier. In this work, the conversion efficiency and output power of the voltage multiplier are analyzed. It is shown that the single stage voltage multiplier is the most efficient, and when it uses a matching network produces a higher output voltage than voltage multipliers with more stages. A single stage voltage multiplier is constructed with schottky diodes. This is evaluated with a LC matching networks for several values of inductanceto select the best performance. Conversion efficiency above 57 % is obtained from an input power of -2 dBm, enabling its use in low power applications.]]></p></abstract>
<kwd-group>
<kwd lng="es"><![CDATA[multiplicador de tensión]]></kwd>
<kwd lng="es"><![CDATA[schottky]]></kwd>
<kwd lng="es"><![CDATA[alta eficiencia]]></kwd>
<kwd lng="es"><![CDATA[baja potencia]]></kwd>
<kwd lng="en"><![CDATA[voltage multiplier]]></kwd>
<kwd lng="en"><![CDATA[schottky]]></kwd>
<kwd lng="en"><![CDATA[high-efficiency]]></kwd>
<kwd lng="en"><![CDATA[low-power]]></kwd>
</kwd-group>
</article-meta>
</front><body><![CDATA[ <P align="right"><font size="2" face="verdana"><strong>ARTICULO ORIGINAL  </strong></font></P>     <p>&nbsp;</p>     <p><font size="4" face="verdana"><B>An&aacute;lisis de la eficiencia de un Multiplicador de Tensi&oacute;n de    baja potencia de entrada en cuanto al    n&uacute;mero de etapas </B></font></p>     <p>&nbsp;</p>     <p><font size="3" face="verdana"><b>Analysis ofefficiency on the number of stages of a low-power Voltage Multiplier</b></font></p>     <P>&nbsp;</P>     <P>&nbsp;</P>     <P><font size="2"><b><font face="verdana">Ing. Nelson Iv&aacute;n Barrionuevo Ortiz, Dr. Juan Carlos Cruz Hurtado   </font>   </b> </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">1.</font> <font size="2" face="verdana">Centro de Investigaciones en Microelectr&oacute;nica (CIME),Instituto Superior Polit&eacute;cnico Jos&eacute;  A. Echeverr&iacute;a, Cujae, La Habana, Cuba,  E-mail: <a href="mailto:nelson.ivan@electrica.cujae.edu.cu">nelson.ivan@electrica.cujae.edu.cu</a> , <a href="mailto:juan.cruz@electrica.cujae.edu.cu">juan.cruz@electrica.cujae.edu.cu</a></font></P>     <P>&nbsp;</P>     ]]></body>
<body><![CDATA[<P>&nbsp;</P> <hr>     <P><font size="2"><b><font face="verdana">RESUMEN </font></b></font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Los multiplicadores de tensi&oacute;n permiten la conversi&oacute;n de se&ntilde;ales de tensi&oacute;n alterna a tensi&oacute;n de directa, a la vez  que se eleva la magnitud de la tensi&oacute;n. Estos son empleados en la transmisi&oacute;n de energ&iacute;a inal&aacute;mbrica, recolecci&oacute;n  de energ&iacute;a, sistemas RFID y otras; donde la potencia disponible es muy poca. Resulta de importancia obtener la  mayor potencia posible a la salida, exigiendo eficiencia por parte del multiplicador de tensi&oacute;n. En este trabajo se analiza  la eficiencia de conversi&oacute;n y potencia de salida de los multiplicadores de tensi&oacute;n en cuanto al n&uacute;mero de etapas.  Se muestra que el multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa es el m&aacute;s eficiente, y que al emplear una red de acoplamiento  de impedancia produce mayor tensi&oacute;n de salida que los multiplicadores de tensi&oacute;n de m&aacute;s etapas. Se construye  un multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa con diodos schottky. El mismo se eval&uacute;a con una red acoplamiento LC con  varias inductancias para seleccionar el mejordesempe&ntilde;o. Se obtiene una eficiencia de conversi&oacute;n superior al 57 % a partir  de una potencia de entrada de  -2 dBm, lo cual posibilita su empleo en aplicaciones de baja energ&iacute;a. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana"><strong>Palabras claves:</strong> multiplicador de tensi&oacute;n, schottky, alta eficiencia, baja potencia </font>    <br> </P> <hr>     <P><font size="2"><b><font face="verdana">ABSTRACT</font></b></font></P>     <P> <font size="2" face="verdana">Voltage multipliers allow the conversion of alternating signals to a direct component of voltage, while the  magnitude of the voltage increases. These are used in wireless power transmission, energy harvesting, RFID and other  systems; where the available power is very low. It is important to obtain the highest possible output power,  demanding efficiency form the voltage multiplier. In this work, the conversion efficiency and output power of the  voltage multiplier are analyzed. It is shown that the single stage voltage multiplier is the most efficient, and when it uses  a matching network produces a higher output voltage than voltage multipliers with more stages. A single  stage voltage multiplier is constructed with schottky diodes. This is evaluated with a LC matching networks for  several values of inductanceto select the best performance. Conversion efficiency above 57 % is obtained from an  input power of -2 dBm, enabling its use in low power applications.</font></P>     <P> <font size="2" face="verdana"><b>Key words: </b>voltage multiplier, schottky, high-efficiency, low-power </font>    <br> </P> <hr>     <P>&nbsp;</P>     ]]></body>
<body><![CDATA[<P>&nbsp;</P>     <P><font size="3" face="verdana"><B>INTRODUCCION</B> </font></P>     <P>&nbsp;</P>     <P><font size="2" face="verdana">Los sistemas de transmisi&oacute;n de energ&iacute;a inal&aacute;mbrica por campo inducido basan su funcionamiento en la inducci&oacute;n     de una corriente alterna en una bobina [1]. Esta se&ntilde;al alterna debe ser rectificada, proceso que se conoce como    conversi&oacute;n de energ&iacute;a alterna a directa. La tensi&oacute;n de directa permite la operaci&oacute;n de un circuito electr&oacute;nico, el cual se alimenta    con una tensi&oacute;n de directa. Otra alternativa es utilizar la tensi&oacute;n de directa para cargar una bater&iacute;a o un supercapacitor,    y almacenar la energ&iacute;a para utilizarla posteriormente [2]. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">La conversi&oacute;n de se&ntilde;al alterna a directa puede efectuarse con un multiplicador de tensi&oacute;n (MV) [3, 4]. Los  multiplicadores de tensi&oacute;n tienen la cualidad de aumentar el nivel de tensi&oacute;n de salida con respecto al de entrada, adem&aacute;s de  rectificar      <BR> la se&ntilde;al [5, 6]. Por esta raz&oacute;n encuentran aplicaci&oacute;n en la transmisi&oacute;n de energ&iacute;a inal&aacute;mbrica, recolecci&oacute;n de energ&iacute;a  [7, 8], sistemas RFID [9, 10] y otras; donde el nivel de se&ntilde;al es bajo y se necesita elevarlo. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">En la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/f0108314.jpg">Figura 1</a>. se muestra el esquema en bloques del sistema para convertir energ&iacute;a  alterna de alta frecuencia (HF)  en una componente de directa (DC). En este se tiene una fuente de tensi&oacute;n <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font> en serie con una resistencia <font size="3"><em>R<sub>s</sub></em></font> que modelan  la fuente de se&ntilde;al, a la salida de esta se define la tensi&oacute;n de entrada <font size="3"><em>V<sub>i</sub></em></font>. Seguidamente est&aacute; la Red de Acoplamiento  de Impedancia (RAZ), cuya salida se conecta a la entrada del multiplicador de tensi&oacute;n, punto en el cual se define la  tensi&oacute;n de entrada del MV como <font size="3"><em>V<sub>m</sub></em></font>. A la salida del MV se obtiene la tensi&oacute;n de salida promedio <font size="3"><em>V<sub>o</sub></em></font>, el cual produce una  corriente promedio en la resistencia de carga <em><font size="3">R<sub>L</sub></font></em>. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">La red de acoplamiento cumple dos importantes funciones. En primer lugar transforma la impedanciade entrada del  MV igual&aacute;ndola a la resistencia de salida de la fuente, para lograr la m&aacute;xima transferencia de potencia. En  segundolugar aumentar el nivel de tensi&oacute;n que entrega la fuente de se&ntilde;al.Esto se logra debido a que la RAZ aumenta el nivel  de tensi&oacute;n cuando se pasa de una resistencia menor a una mayor[11]. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">La red de acoplamiento se conforma de elementos pasivos, y su p&eacute;rdida de inserci&oacute;n es muy peque&ntilde;a si se  encuentra en resonancia y posee un factor de calidad ligeramente alto (Q &gt; 5), de modo que las p&eacute;rdidas se pueden considerar  nulas. Bajo esta consideraci&oacute;n se tiene que la raz&oacute;n entre la tensi&oacute;n de salida y la de entrada de la RAZ es: (<a href="#e1">ecuaci&oacute;n 1</a>) </font></P>     <P align="center"><img src="/img/revistas/eac/v35n3/e0108314.jpg" width="317" height="74"><a name="e1"></a></P>     
]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="verdana">Donde  <font size="3"><em>R<sub>i</sub></em></font> es la resistencia de entrada del MV en este caso y  <em><font size="3">R<sub>s</sub></font></em> es la resistencia de salida de la fuente de se&ntilde;al.La  impedancia de salida de la fuente de se&ntilde;al se considera  de 50 &Ugrave; seg&uacute;n el valor est&aacute;ndar de los generadores de se&ntilde;ales,mientras  que la resistencia de entrada del MV generalmentees mayor que esta cantidad.Entonces se puede obtener un aumento  en el nivel de tensi&oacute;n  de salida de la RAZ, lo cual beneficia a la aplicaci&oacute;n. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">El multiplicador de tensi&oacute;n se encarga de tomar la se&ntilde;al alterna a la salida de la RAZ y convertirla en una se&ntilde;al  de directa, como se mencion&oacute; previamente. El MV de este trabajo est&aacute; enfocado a aplicaciones de bajo consumo  de potencia, donde se desea obtener como m&iacute;nimo una de tensi&oacute;n de salida de 1 V para la operaci&oacute;n del  dispositivo inal&aacute;mbrico alimentado.  Se necesita una potencia de salida <em><font size="3">P<sub>o</sub></font></em> de 1 mW, lo cual implicauna resistencia de carga  <em><font size="3">R<sub>L</sub></font></em>de 1  k&amp;! para 1 V. La potencia de salida queda determinada por <em><font size="3">P<sub>o</sub>=</font><font size="3" face="verdana">&eta;</font><font size="3"> x</font></em> <em><font size="3">P<sub>i</sub></font></em>, donde  &eta; es la eficiencia de conversi&oacute;n del MV y  <em><font size="3">P<sub>i</sub></font></em> es la  potencia extra&iacute;da de la fuente de se&ntilde;al, que es igual a la potencia de entrada del MV para una RAZ sin p&eacute;rdidas. Es deseable  que el MV responda a niveles de tensi&oacute;n de entrada tan bajos como sea posible;siendo necesario extraer la mayor  potencia de la fuente de se&ntilde;al alterna y convertirla eficientemente en potencia de directa. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Para extraer la mayor potencia de la fuente de se&ntilde;al se emplea la RAZ, de modo que el dise&ntilde;o puede enfocarse  en buscar una mayor eficiencia del multiplicador de tensi&oacute;n independientemente de la impedancia de entrada del  mismo. La eficiencia del multiplicador de tensi&oacute;n es dif&iacute;cil de estimar de forma anal&iacute;tica, ya que se trata de un circuito no  lineal, donde la funci&oacute;n transferencial, la impedancia de entrada y la eficiencia dependen del nivel de tensi&oacute;n en la  entrada. Adem&aacute;s de esto la eficiencia va a depender de la carga que tenga el circuito, y de los par&aacute;metros de los diodos  y capacitores que conforman el MV. Por esta raz&oacute;n el circuito es analizado por simulaci&oacute;n para buscar una  mayor eficiencia de conversi&oacute;n del MV. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">En este trabajo se analiza por simulaci&oacute;n la eficiencia de los MV en cuanto al n&uacute;mero de etapas. Los MV son  operados con una resistencia de carga de 1 k&amp;!, y son estimulados con una fuente de se&ntilde;al sinusoidal con resistencia interna  de 50 &amp;!. Se analizan los multiplicadores de tensi&oacute;n de una y dos etapas con y sin red de acoplamiento de impedancia.  Se obtiene que el multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa es m&aacute;s eficiente y que el MV con red de acoplamiento produce  el mayor nivel de tensi&oacute;n en su salida. Se construye un multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa con diodos  schottky MBR0520, y el circuito es acoplado a 50  &Ugrave;. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana"><B>Multiplicador de tensi&oacute;n </B></font></P>     <P><font size="2"><font face="verdana">El circuito doblador de tensi&oacute;n mostrado en la </font></font><font size="2" face="verdana"><a href="/img/revistas/eac/v35n3/f0208314.jpg">Figura 2</a>. , utiliza un circuito de fijaci&oacute;n y un detector de picos[5, 12]. Su funcionamiento es bien conocido y solo  se describir&aacute; brevemente. Consid&eacute;rese una tensi&oacute;n de entrada sinusoidal <font size="3"><em>V<sub>s</sub>=V<sub>m</sub> sin wt</em></font>, el cual hace que los capacitores se  carguen seg&uacute;n la polaridad mostrada. El diodo de  <font size="3"><em>D<sub>1</sub></em></font>solo conduce en el semiciclo negativo de  <em><font size="3">V<sub>s</sub></font></em> y cuando <em><font size="3">V<sub>s</sub></font> &gt;</em> <font size="3"><em>V<sub>c1</sub></em></font> , momento en que  se  carga  <font size="3"><em>C<sub>1</sub></em></font>a <font size="3"><em>V<sub>m</sub> - v<sub>t</sub></em></font> , siendo <font size="3"><em>v<sub>t</sub></em></font> la tensi&oacute;n de conducci&oacute;n de los diodos. El diodo  <font size="3"><em>D<sub>2 </sub></em></font>solo conduce durante el semiciclo positivo de <em><font size="3">V<sub>s</sub></font></em> y cuando <em><font size="3">V<sub>s</sub></font></em>+ <em><font size="3">V<sub>c1</sub>&gt; V<sub>c2</sub></font></em> , y el capacitor  <font size="3"><em>C<sub>2</sub></em></font> se carga a trav&eacute;s de  <font size="3"><em>C<sub>1</sub></em></font> a <em><font size="3">[(2(v)]m - V<sub>t</sub>)</font></em> [5]. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">Sin embargo, se ha supuesto que el capacitor  <font size="3"><em>C<sub>1</sub></em></font> act&uacute;a como una fuente de tensi&oacute;n de <font size="3"><em>V<sub>m</sub> - v<sub>t</sub></em></font> y que contribuye a cargar <font size="3"><em>C<sub>2</sub></em></font> .  De hecho, <font size="3"><em>C<sub>1</sub></em></font> y <font size="3"><em>C<sub>2</sub></em></font> forman un circuito en serie y comparten <font size="3"><em>2(</em></font><font size="2" face="verdana"><font size="3"><em>V<sub>m</sub> - v<sub>t</sub></em></font></font><font size="3"><em>)</em></font>, as&iacute; que la tensi&oacute;n en el capacitor <font size="3"><em>C<sub>2</sub></em></font> ser&aacute; menor que <font size="3"><em>2(</em></font><font size="2" face="verdana"><font size="3"><em>V<sub>m</sub> - v<sub>t</sub></em></font></font><font size="3"><em>)</em></font>. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Si se conecta una resistencia de carga  <em><font size="3">R<sub>L</sub></font></em> en paralelo al capacitor <font size="3"><em>C<sub>2</sub></em></font> , la tensi&oacute;n de salida se reduce durante el intervalo  de tiempo en que  <font size="3"><em>D<sub>2</sub></em></font> est&aacute; apagado, y se eleva cuando <font size="3"><em>D<sub>2</sub></em></font> est&aacute; encendido.Por tanto se requiere m&aacute;s tiempo para alcanzar  la condici&oacute;n de estado estable, y la tensi&oacute;n de salida promedio ser&aacute; menor. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">El circuito doblador de tensi&oacute;n puede ser conectado en cascada dando lugar a los multiplicadores de tensi&oacute;n (MV)  [5, 13], para obtener mayor nivel de tensi&oacute;n. El multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa puede llamarse multiplicador  de tensi&oacute;n por dos (MV x 2). El multiplicador de tensi&oacute;n de dos etapas (MV x 4) o cuadriplicador se muestra en la </font><font size="2" face="verdana"><a href="#f3">Figura 3.</a>. De modo similar se pueden obtener multiplicadores de tensi&oacute;n por 6, 8, etc. </font></P>     <P align="center"><img src="/img/revistas/eac/v35n3/f0308314.jpg" width="400" height="270"><a name="f3"></a></P>     
]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="verdana">La tensi&oacute;n de salida del multiplicador de tensi&oacute;n de <font size="3">n</font> etapas est&aacute; dado por <em><font size="3">V<sub>o</sub>=2n</font></em><font size="3"><em>(</em><font size="2" face="verdana"><em>V<sub>m</sub> - v<sub>t</sub></em></font><em>)</em></font>. Este es el valor te&oacute;rico que se  deber&iacute;a obtener en ausencia de p&eacute;rdidas. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Es posible lograr multiplicadores de tensi&oacute;n de varias etapas, de modo que se incrementa la tensi&oacute;n de salida.  La tensi&oacute;n de salida puede incrementarse pero hasta un l&iacute;mite, dado que est&aacute; limitada la potencia que entrega la fuente.  De hecho, para cierto n&uacute;mero de etapas la tensi&oacute;n de salida puede empezar a disminuir [3]. Adem&aacute;s la eficiencia tambi&eacute;n  se debe afectar por el n&uacute;mero de etapas del MV. Es deseable investigar c&oacute;mo influye el n&uacute;mero de etapas en la  eficiencia del MV. A continuaci&oacute;n se analiza por simulaci&oacute;n este aspecto. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana"><B>An&aacute;lisis por simulaci&oacute;n de los Multiplicadores  de tensi&oacute;n</B> </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Mediante el an&aacute;lisis por simulaci&oacute;n de los multiplicadores de tensi&oacute;n se pueden determinar la tensi&oacute;n de salida,  las potencias promedio de entrada y de salida, as&iacute; como la eficiencia para distintos valores de se&ntilde;al de est&iacute;mulo <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font>. Se  simulan los multiplicadores de tensi&oacute;n de una y de dos etapas (MV x2 y MV x4), y se establece una comparaci&oacute;n de  su desempe&ntilde;o. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Se emplea la herramienta de simulaci&oacute;n PSpice 8, y se realizan an&aacute;lisis transitorios, con los par&aacute;metros PrintStep =  200 ns, Final Time= 100us, y StepCeiling= 20 ns. En el circuito se emplea una fuente Vsin con frecuencia de 1 MHz,y  la amplitud de la tensi&oacute;n se toma como par&aacute;metro del barrido con los valores 0.5, 1.0, y 2.0 V. Se emplean capacitores  de 33 nF y una resistencia de cargade 1 k&Ugrave;. Como dispositivo de conmutaci&oacute;n se utiliza el diodo schottky 1N5711, el  cual presenta una tensi&oacute;n umbral de 0.3914 V y una resistencia serie de 17.29  &amp;! seg&uacute;n el modelo SPICE. Estos datos  son v&aacute;lidos para todos los an&aacute;lisis realizados en la simulaci&oacute;n. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana"><B>Multiplicador de tensi&oacute;nde una etapa </B></font></P>     <P><font size="2"><font face="verdana">El diagrama el&eacute;ctricodel circuito del multiplicador de tensi&oacute;nde una etapa se muestra a continuaci&oacute;n en la </font></font><font size="2" face="verdana"><a href="/img/revistas/eac/v35n3/f0408314.jpg">Figura 4</a>. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">En la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/t0108314.jpg">Tabla 1</a> se muestra la tensi&oacute;n de salida promedio, la potencia de salida promedio y la eficiencia  del multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa, extra&iacute;dos del an&aacute;lisis por simulaci&oacute;n. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">La tensi&oacute;n de salida promedio es inferior a la tensi&oacute;n de entrada <font size="3"><em>V<sub>i</sub></em></font> para los casos en que  <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font> toma los valores de 0.5 V y 1  V. Parauna tensi&oacute;n de se&ntilde;al de 2 V s&iacute; se obtiene una tensi&oacute;n de salida superior al de entrada, pero est&aacute; muy lejos de  ser el doble. Esto se debe a que la tensi&oacute;n de salida disminuye con la tensi&oacute;n del diodo debido a que <em><font size="3">V<sub>o</sub>=2</font></em><font size="3"><em>(</em><font size="2" face="verdana"><em>V<sub>m</sub> - <font size="3">v<sub>d</sub></font></em></font><em>)</em></font>, como ya se  hab&iacute;a planteado. Sucede que la ca&iacute;da de tensi&oacute;n en el diodo est&aacute; dado por (<a href="#e2">ecuaci&oacute;n 2</a>) </font></P>     <P align="center"><img src="/img/revistas/eac/v35n3/e0208314.jpg" width="322" height="62"><a name="e2"></a></P>              
]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="verdana">La ca&iacute;da de tensi&oacute;n en el diodo ser&aacute; mayor para una mayor corriente. Adem&aacute;s la resistencia serie del diodo adiciona  una ca&iacute;da de tensi&oacute;n no despreciable. En multiplicadores de tensi&oacute;n con una carga resistiva elevada que demande  poca corriente, la tensi&oacute;n del diodo ser&aacute; peque&ntilde;o y se obtiene una tensi&oacute;n de salida cercana al doble de la tensi&oacute;n  de entrada, pero a su vez la potencia ser&aacute; peque&ntilde;a por el elevado valor de la resistencia. En casos como este de  resistencias del orden de los k&Ugrave;,se demanda una corriente del  orden de los mA, que provoca una tensi&oacute;n en el diodo  significativo para los niveles de tensi&oacute;n de la se&ntilde;al de entrada, haciendo menor la conversi&oacute;n del MV. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Por otra parte el MV extrae poca potencia de la fuente debido a la falta de acoplamiento por tener una mayor  impedancia de entrada que la fuente. Esto se aprecia porque la tensi&oacute;n de entrada <font size="3"><em>V<sub>i</sub></em></font> est&aacute; cercana a <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font>,en cambio si hubiese un  acoplamiento adecuado <font size="3"><em>V<sub>i</sub></em></font> ser&iacute;a la mitad de <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font>. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Seguidamente se analiza el multiplicador de tensi&oacute;n de dos etapas, y se comparan los resultados con los obtenidos  del multiplicador de tensi&oacute;n por dos. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana"><B>Multiplicador de tensi&oacute;nde dos etapas </B></font></P>     <P><font size="2"><font face="verdana">El diagrama el&eacute;ctrico del circuito del multiplicador de tensi&oacute;nde dos etapas excitado con una fuente de  tensi&oacute;n sinusoidal se muestra a en la</font> </font><font size="2" face="verdana"><a href="/img/revistas/eac/v35n3/f0508314.jpg">Figura 5</a> a continuaci&oacute;n. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">Mientras, que del an&aacute;lisis por simulaci&oacute;n son extra&iacute;dasla amplitud de la tensi&oacute;n de entrada, la tensi&oacute;n de  salida promedio, la potencia de salida promedio y la eficiencia del multiplicador de tensi&oacute;n de dos etapas. Los datos  son tabulados en funci&oacute;n de en la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/t0208314.jpg">Tabla 2</a>. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">Se aprecia que la tensi&oacute;n de salida y la eficiencia aumentan con la tensi&oacute;n de la fuente de se&ntilde;al. No se  consigue multiplicar la tensi&oacute;n de entrada por el valor te&oacute;rico de modo similar al multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa. La  tensi&oacute;n <font size="3"><em>V<sub>i</sub></em></font> no se acerca a la mitad de <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font> , por lo que no hay un buen acoplamiento y no se consigue extraer la mayor potencia de  la fuente. Pero el acoplamiento es mejor que el del MV de una etapa. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">En la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/f0608314.jpg">Figura 6</a>.  se grafican los valores de la tensi&oacute;n de salida y de la eficiencia de los multiplicadores de tensi&oacute;n de una y  dos etapas para el rango de tensiones simulados de la se&ntilde;al de entrada. La tensi&oacute;n de salida se presenta en el eje  izquierdo, mientras que la eficiencia se presenta en el eje derecho. </font> </P>     
<P><font size="2" face="verdana">El multiplicador de tensi&oacute;n de dos etapas ofrece un mayor nivel de tensi&oacute;n de salida, y por lo tanto de potencia,  sin embargo la eficiencia del multiplicador de una etapa es superior. Puede plantearse que el MV de una etapa tiene  un mejor desempe&ntilde;o en cuanto a eficiencia que los MV de m&aacute;s etapas. Seg&uacute;n se aumenta el n&uacute;mero de etapas se  emplean m&aacute;s dispositivos de rectificaci&oacute;n, d&oacute;nde cada uno introduce una cantidad de p&eacute;rdidas en potencia, haciendo mayor  la p&eacute;rdida total y consecuentemente se deteriora la eficiencia. Por tanto, se tiene que la eficiencia de los  multiplicadores de tensi&oacute;n disminuye seg&uacute;n aumenta su  n&uacute;mero de etapas. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">El multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa es m&aacute;s eficiente pero produce un menor nivel de tensi&oacute;n de salida debido a  que presenta una mayor impedancia de entrada y no est&aacute; acoplado a la fuente. Por otra parte el MV de dos etapas est&aacute;  mejor acoplado a la fuente de se&ntilde;al y logra extraer mayor potencia de esta, y su potencia de salida es mayor a pesar de ser  m&aacute;s ineficiente. Pero ambos multiplicadores de tensi&oacute;n pueden acoplarse mejor a la fuente de se&ntilde;al mediante una red  de acoplamiento de impedancia. Con lo cual se debe obtener mayor potencia de salida. Esto es analizado a continuaci&oacute;n. </font></P>     ]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="verdana"><B>Multiplicador de tensi&oacute;n con RED de Acoplamientode IMPEDANCIA</B> </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Para el dise&ntilde;o de la RAZ es necesario determinar la impedancia de entrada de los MV de una y dos etapas  anteriormente analizados. Esta es determinada empleando la transformada r&aacute;pida de Fourier para llevar las se&ntilde;ales al dominio de  la frecuencia, donde se extraen los niveles de tensi&oacute;n y corrientedel arm&oacute;nico fundamental. El an&aacute;lisis es realizado  para un nivel de tensi&oacute;n  de 2V. En la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/t0308314.jpg">Tabla 3</a> se muestran los datos extra&iacute;dos y la impedancia hallada para  los multiplicadores de tensi&oacute;n de una y de dos etapas. </font></P>     
<P><font size="2"><font face="verdana">A partir de las impedancias determinadas se dise&ntilde;an dos redes LC tipo L para acoplar cada MV a 50    &amp;! a 1 MHz defrecuencia. El MV de una etapa presenta una impedancia de entrada de    252.5 &amp;!, y los valores hallados de los elementos de la RAZ ser&iacute;an entonces L    = 16.04&igrave;H y C = 1267 pF. Mientras que el MV de dos etapas tiene    una impedancia de entrada de 117 &amp;!y el dise&ntilde;o resulta en L = 9.212    &igrave;H y C = 1575 pF. Los circuitos resultantes de  la combinaci&oacute;n de los MV de una y dos etapas con sus respectivas RAZsonsimulados en el SPICEy en la  </font></font><font size="2" face="verdana"><a href="/img/revistas/eac/v35n3/f0708314.jpg">Figura 7</a>.  se muestra el esquema el&eacute;ctrico del MV x2 con la RAZ. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">Se halla la potencia de entrada promedio a partir de las magnitudes el&eacute;ctricas del nodo in (a la salida de la fuente  real), y la potencia de salida del MV, y la eficiencia. La potencia promedio en la salida de la red de acoplamiento es  hallada pero no se presenta, ya que es pr&aacute;cticamente la misma que ingresa a la RAZ. Teni&eacute;ndose que es despreciable la  p&eacute;rdida de inserci&oacute;n de la RAZ, como se esperaba. A continuaci&oacute;n se tabulan los datos obtenidos de la simulaci&oacute;n del  circuito del MV x 2 con RAZ LC en la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/t0408314.jpg">Tabla 4</a> y del MV x 4 con RAZ LC en la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/t0508314.jpg">Tabla 5</a>. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">Los MV de una y dos etapas mejoran con el uso de la RAZ. Para los mismos niveles de tensi&oacute;n del est&iacute;mulo  <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font> se  aprecia un aumento significativo de la tensi&oacute;n de salida y consecuentemente de la potencia de salida promedio. La tensi&oacute;n  <font size="3"><em>V<sub>i</sub></em></font> no llega a ser exactamente la mitad de <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font>, pero se acerca bastante por lo que se considera que se ha conseguido un  buen acoplamiento con la fuente. Esto puede corroborarse con la potencia extra&iacute;da de la fuente <em><font size="3">(P<sub>in</sub>)</font></em> que se acerca bastante  al valor de la potencia m&aacute;xima de la fuente (10 mW para <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font> = 2 V). Es dif&iacute;cil extraer el m&aacute;ximo de potencia de la fuente  debido a que la impedancia depende del nivel de la se&ntilde;al de est&iacute;mulo y es inevitable tener espacios de tiempo en que  la impedancia de entrada del MV es excesivamente grande debido a que los diodos se encuentran cortados. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">La eficiencia delos MV con RAZ es un poco menor que la eficiencia delos MV sin la RAZ. La interacci&oacute;n de la RAZ  con el MV provoca que la tensi&oacute;n en la entrada del MV (<font size="3"><em>V<sub>m</sub></em></font>) sea ligeramente menor que la tensi&oacute;n cuando no hay RAZ.  Esta puede ser la causa de la disminuci&oacute;n de la eficiencia. Se tiene entonces que la inserci&oacute;n de la RAZ provoca una  ligera disminuci&oacute;n de la eficiencia pero aumenta considerablemente la potencia extra&iacute;da de la fuente. De modo que se  obtiene una mayor potencia en la salida del MV. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">En la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/f0808314.jpg">Figura 8</a>. se muestra la tensi&oacute;n de salida de los multiplicadores de tensi&oacute;n de una etapa (MV x 2) y de dos etapas  (MV x 4) sin la red de acoplamiento, y de los MV de una etapa (MV x 2 RAZ) y de dos etapas (MV x 4 RAZ) con la RAZ.  Estas curvas son graficadas en funci&oacute;n del nivel de tensi&oacute;n <font size="3"><em>V<sub>s </sub></em></font>, seg&uacute;n los datos tomados de las simulaciones realizadas. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">Los multiplicadores de tensi&oacute;n mejoran su rendimiento con el uso de la red de acoplamiento de impedancia,  presentando un mayor nivel de tensi&oacute;nde salida. El uso de la RAZ permite extraer de la fuente una cantidad potencia cercana a  la m&aacute;xima posible y esto provoca que los MV con RAZ presenten el mejor desempe&ntilde;o. El MV x 2 con RAZ logra  extraer 9.7 mW y el MV x 4 con RAZ extrae 9.5 mW para una tensi&oacute;n  <font size="3"><em>V<sub>s</sub></em></font> de 2 V, siendo estos valores cercanos al m&aacute;ximo  te&oacute;rico (10 mW). </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">El MV x 2 sin RAZ es el de menor tensi&oacute;n de salida. En cambio el MV x 2 con RAZ es el de mayor tensi&oacute;nde  salida, teniendo un desempe&ntilde;o  por encima del MV x 4 con RAZ. Esto se debe a que el MV de una etapa es m&aacute;s eficiente  que el MV de dos etapas. El MV de una etapa es m&aacute;s sencillo y tiene menos dispositivos de conmutaci&oacute;n que el MV de  dos etapas por lo que tambi&eacute;n debe presentar menos p&eacute;rdidas y ser m&aacute;s eficiente como muestran las simulaciones.  Analizando la eficiencia de los MV mostradas en las tablas anteriores se aprecia que el MV de una etapa siempre es m&aacute;s  eficiente que el MV de dos etapas, pero solo si se emplea una RAZ adecuada es que el MV x 2 llega a producir mayor tensi&oacute;n  de salida. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">En los an&aacute;lisis anteriores no se ha considerado la influencia de los par&aacute;metros del dispositivo de conmutaci&oacute;n. Los  m&aacute;s importantes pueden ser la tensi&oacute;n umbral, la corriente de saturaci&oacute;n en inversa y la resistencia serie. El ajuste de  estos par&aacute;metros permite mejorar la eficiencia, pero no debe cambiar el hecho de que esta disminuya seg&uacute;n aumente  el n&uacute;mero de etapas. </font></P>     ]]></body>
<body><![CDATA[<P><font size="2" face="verdana"><B>Montaje y medici&oacute;n </B> </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Basado en los resultados de los an&aacute;lisis por simulaci&oacute;n se decidi&oacute; montar un multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa.  Se emplean diodos schottky de montaje superficial MBR05202. Se trabaja a 1 MHz, en esta frecuencia el diodo  responde bien ya que el valor de su capacidad no afecta su respuesta, siendo despreciable. Se emplea como carga una  resistencia      de montaje superficial de 1 k&amp;!. Se emplean capacitores de cer&aacute;mica de montaje superficial de 33nF, al igual que en  las simulaciones precedentes. El circuito es montado en una placa FR4 de 40 x 40 mm. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">El circuito es excitado con un generador de se&ntilde;ales AFG 3022B, configurado para generar una se&ntilde;al sinusoidal de  1 MHz, y la amplitud se var&iacute;a de modo conveniente para realizar un barrido de la se&ntilde;al de est&iacute;mulo. El generador tiene  una impedancia de salida est&aacute;ndar de 50 &amp;!. Conjuntamente se emplea el osciloscopio digital TDS 2022B de dos  canales para medir las tensiones en la entrada y salida del multiplicador de tensi&oacute;n. Estos datos se registran para un barrido  de potencia de la se&ntilde;al del generador. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">La tensi&oacute;n promedio de salidadel MV sin RAZ se obtuvo mediante el osciloscopio TDS 2022B mientras se variaba  la tensi&oacute;n de est&iacute;mulo. Esta se muestra en la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/f0908314.jpg">Figura 9</a>. , acompa&ntilde;ada de la tensi&oacute;n de salida obtenida en simulaci&oacute;n para un multiplicador de tensi&oacute;n de una  etapa con diodos schottky 1N5817. El diodo 1N5817 es muy similar al diodo empleado en la construcci&oacute;n del circuito,  raz&oacute;n por la cual se elige para comparar los resultados experimentales con un an&aacute;lisis por simulaci&oacute;n. Se aprecia una  buena concordancia entre el resultado experimental y la simulaci&oacute;n, donde el error relativo m&aacute;ximo es inferior al 10 %.</font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">La impedancia de entrada del multiplicador de tensi&oacute;n fue medida en un analizador de redes, resultando ser 160-j80    &amp;!. Para obtener un desempe&ntilde;o mejor se debe acoplar esta impedancia a la del generador de 50 &amp;!. Se dise&ntilde;a una red    LC cuyos valores son  12.875 &#181;H y 1039 pF. Para el montaje se emple&oacute; un capacitor de cer&aacute;mica de montaje    superficial, cuyo valor medido es de 880 pF y se emplearon tres inductancias de valores 22 &#181;H, 15.5 &#181;H y 10 &#181;H. De modo que    se analiz&oacute; el MV con la RAZ para tres inductores de diferente valor. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">La tensi&oacute;n de salida promedio es medida con el osciloscopio mientras se var&iacute;a la potencia (-5 dBm a 15  dBm)del generador de se&ntilde;al empleado como est&iacute;mulo.El circuito se analiz&oacute; emp&iacute;ricamente para buscar un mayor  acoplamiento. El MV con la RAZ fue estudiado con cada uno de los valores de inductancia mencionados previamente. El  mejor desempe&ntilde;o se obtuvo para la inductancia de 15.5  &#181;H, y esta proporcion&oacute; una mayor tensi&oacute;n de salida en todo el  rango del barrido de potencia realizado. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">En la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/f1008314.jpg">Figura 10</a> se presenta la tensi&oacute;n de salida del MV con una RAZ conformada por un capacitor de 880 pF y  un inductor de 15.5 &#181;H. Al comparar estos resultados con los de la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/f0908314.jpg">Figura 9</a>.  se comprueba como la red de acoplamiento mejora el desempe&ntilde;o del circuito, brindando mayor tensi&oacute;n  de salida. Adem&aacute;s, se obtiene una tensi&oacute;n de salida de 1.03 V para un est&iacute;mulo sinusoidal de amplitud 0.8 V, mientras  que la tensi&oacute;n medida con el osciloscopio en la entrada del circuito fue de 0.472 V. Bajo estas condiciones se obtuvo  una potencia de salida de 1.06 mW con una potencia de la fuente de 1.58 mW. El multiplicador de tensi&oacute;n con RAZ  evaluado presenta un buen desempe&ntilde;o de acuerdo a los requisitos planteados en el trabajo. </font></P>     
<P><font size="2" face="verdana">Adem&aacute;s se determin&oacute; la eficiencia del circuito y se muestra conjuntamente con la tensi&oacute;n de salida en la <a href="/img/revistas/eac/v35n3/f1008314.jpg">Figura 10</a>.  La eficiencia obtenida supera el 57 % a partir de una potencia de entrada de -2 dBm. Para valores inferiores se alcanza  una eficiencia cercana al 50 %. Con este rendimiento el circuito resulta pr&aacute;ctico para la transmisi&oacute;n de energ&iacute;a  inal&aacute;mbrica en HF, o en la recolecci&oacute;n de energ&iacute;a de radiofrecuencia de transmisores de AM. Donde puede emplearse para  obtener una se&ntilde;al de directa con suficiente potencia para la alimentaci&oacute;n de aplicaciones de bajo consumo de energ&iacute;a, como  los sensores inal&aacute;mbricos. </font></P>     
<P>&nbsp;</P>     <P><font size="3" face="verdana"><B>CONCLUSIONES</B> </font></P>     ]]></body>
<body><![CDATA[<P>&nbsp;</P>     <P><font size="2" face="verdana">Se analiz&oacute; por simulaci&oacute;n los MV de una y dos etapas, con una carga resistiva de 1    k&amp;! y excitado por una fuente de tensi&oacute;n con impedancia serie de 50    &amp;!. El multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa present&oacute; mayor eficiencia que el MV    de dos etapas, pero extrae menos potencia de la fuente al tener mayor impedancia de entrada. De modo que la tensi&oacute;n    de salida del MV de una etapa es menor que la del MV de dos etapas. </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Se analiz&oacute; por simulaci&oacute;n los MV de una y dos etapas con red de acoplamiento de impedancia.El uso de la red  de acoplamiento de impedancia permite extraer casi toda la potencia disponible de la fuente de se&ntilde;al.Se obtuvo que  el multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa con RAZ  extrae una potencia de 9.7 mW y el MV de dos etapas con RAZ  extrae una potencia de 9.5 mW de un total de 10 mW cuando la se&ntilde;al de tensi&oacute;n tiene una amplitud de 2 V. El multiplicador  de tensi&oacute;n de una etapa con RAZ  presenta mayor eficiencia y tensi&oacute;n de salida que el MV de dos etapas con RAZ </font></P>     <P><font size="2" face="verdana">Se realiz&oacute; el montaje del multiplicador de tensi&oacute;n de una etapa con diodos schottky MBR05202, capacitores de 33  nF y resistencia de carga de 1 k&amp;!.El mismo fue caracterizado con est&iacute;mulo sinusoidal y acoplado a la resistencia de  salida de la fuente de se&ntilde;al de 50 &amp;!, mediante una red de acoplamiento de impedancia LC. El circuito present&oacute; un  buen desempe&ntilde;o seg&uacute;n las mediciones realizadas. Se lleg&oacute; a obtener un tensi&oacute;n de salida de 1.03 V para una tensi&oacute;n  de entrada del MV de 0.472 V de amplitud, lo que permite su empleo en aplicaciones de bajo consumo de energ&iacute;a. </font></P>     <P>&nbsp;</P>     <P><font size="3" face="verdana"><B>REFERENCIAS</B></font></P>     <P>&nbsp;</P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">1.     KRACEK, J. and M. MAZANEK, Wireless Power Transmission for Power Supply: State of    Art. Radioengineering, 2011. <B>20</B>(2): p. 457.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">2.     Seah, W.K.G., Z.A. Eu, and H.P. Tan. Wireless sensor networks powered by ambient energy harvesting  (WSN-HEAP)-Survey and challenges. 2009: Ieee.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">3.     Umeda, T., et al., A 950-MHz rectifier circuit for sensor network tags with 10-m  distance. Solid-State Circuits, IEEE Journal of, 2006. <B>41</B>(1): p. 35-41.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">4.     Gosset, G. and D. Flandre. A very high efficiency ultra-low-power 13.56 MHz voltage rectifier in 150nm  SOI CMOS. in Radio-Frequency Integration Technology, 2009. RFIT 2009. IEEE International Symposium  on. 2009: IEEE.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">5.     Rashid, M.H., Circuitos microelectr&oacute;nicos: an&aacute;lisis y  dise&ntilde;o. 2002: Thomson-Paraninfo.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">6.     Mondal, S. and R.P. Paily. A strategy to enhance the output voltage of a charge pump circuit suitable  for energy harvesting. in Emerging Research Areas and 2013 International Conference on  Microelectronics, Communications and Renewable Energy (AICERA/ICMiCR), 2013 Annual International Conference  on. 2013.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">7.     Porcarelli, D., D. Brunelli, and L. Benini.        Clamp-and-measure forever: A mosfet-based circuit for energy  harvesting and measurement targeted for power  meters. in Advances in Sensors and Interfaces (IWASI), 2013 5th  IEEE International Workshop on. 2013: IEEE.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">8.     Bin Alam, S., M.S. Ullah, and S. Moury.        Design of a low power 2.45 GHz RF energy harvesting circuit  for rectenna. in Informatics, Electronics &amp; Vision (ICIEV), 2013 International Conference  on. 2013.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">9.     Yang, X., et al. Design and Test of a RFID UHF  Tag. in Circuits, Communications and Systems, 2009.  PACCS'09. Pacific-Asia Conference on. 2009: IEEE.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">10.     Bakhtiar, A.S., M.S. Jalali, and S. Mirabbasi.        A high-efficiency CMOS rectifier for low-power RFID  tags. in RFID, 2010 IEEE International Conference  on. 2010.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">11.     Le, T., K. Mayaram, and T. Fiez, Efficient far-field radio frequency energy harvesting for passively  powered sensor networks. Solid-State Circuits, IEEE Journal of, 2008. <B>43</B>(5): p. 1287-1302.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">12.     Faghihi, S. and M. Moallem. Analysis and design of a low power electronics circuit for energy  harvesting applications. in Industrial Electronics (ISIE), 2012 IEEE International Symposium  on. 2012.     </font></P>     <!-- ref --><P><font size="2" face="verdana">13.     Jiang, S. Optimum wireless power transmission for sensors embedded in  concrete.  2011.     </font></P>     <P>&nbsp;</P>     <P>&nbsp;</P>     <P><font size="2" face="verdana">Recibido: Julio 2014    <br>   Aprobado: Septiembre 2014 </font></P>      ]]></body><back>
<ref-list>
<ref id="B1">
<label>1</label><nlm-citation citation-type="journal">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[KRACEK]]></surname>
<given-names><![CDATA[J.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[M.]]></surname>
<given-names><![CDATA[MAZANEK]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[Wireless Power Transmission for Power Supply]]></article-title>
<source><![CDATA[State of Art. Radioengineering]]></source>
<year>2011</year>
<volume>20</volume>
<numero>2</numero>
<issue>2</issue>
<page-range>457</page-range></nlm-citation>
</ref>
<ref id="B2">
<label>2</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Seah]]></surname>
<given-names><![CDATA[W.K.G.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[Z.A.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Eu]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[H.P.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Tan]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Wireless sensor networks powered by ambient energy harvesting (WSN-HEAP)-Survey and challenges]]></source>
<year>2009</year>
<publisher-name><![CDATA[Ieee]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B3">
<label>3</label><nlm-citation citation-type="journal">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Umeda]]></surname>
<given-names><![CDATA[T.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[A 950-MHz rectifier circuit for sensor network tags with 10-m distance]]></article-title>
<source><![CDATA[Solid-State Circuits]]></source>
<year>2006</year>
<volume>41</volume>
<numero>1</numero>
<issue>1</issue>
<page-range>35-41</page-range><publisher-name><![CDATA[IEEE Journal]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B4">
<label>4</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Gosset]]></surname>
<given-names><![CDATA[G.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[D.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Flandre]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[A very high efficiency ultra-low-power 13.56 MHz voltage rectifier in 150nm SOI CMOS]]></article-title>
<source><![CDATA[Radio-Frequency Integration Technology]]></source>
<year>2009</year>
<publisher-name><![CDATA[IEEE International Symposium on]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B5">
<label>5</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[M.H.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Rashid]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Circuitos microelectrónicos: análisis y diseño]]></source>
<year>2002</year>
<publisher-name><![CDATA[Thomson-Paraninfo]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B6">
<label>6</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Mondal]]></surname>
<given-names><![CDATA[S.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[R.P.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Paily]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[A strategy to enhance the output voltage of a charge pump circuit suitable for energy harvesting]]></article-title>
<source><![CDATA[Emerging Research Areas and 2013 International Conference on Microelectronics, Communications and Renewable Energy (AICERA/ICMiCR)]]></source>
<year>2013</year>
<publisher-name><![CDATA[2013 Annual International Conference on]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B7">
<label>7</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Porcarelli]]></surname>
<given-names><![CDATA[D.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[D.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Brunelli]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[L.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Benini]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[Clamp-and-measure forever: A mosfet-based circuit for energy harvesting and measurement targeted for power meters]]></article-title>
<source><![CDATA[Advances in Sensors and Interfaces (IWASI)]]></source>
<year>2013</year>
<publisher-name><![CDATA[2013 5th IEEE International Workshop on]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B8">
<label>8</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Bin Alam]]></surname>
<given-names><![CDATA[S.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[M.S.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Ullah]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[S.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Moury]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[Design of a low power 2.45 GHz RF energy harvesting circuit for rectenna]]></article-title>
<source><![CDATA[Informatics, Electronics & Vision (ICIEV)]]></source>
<year>2013</year>
<publisher-name><![CDATA[2013 International Conference on]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B9">
<label>9</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Yang]]></surname>
<given-names><![CDATA[X.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[Design and Test of a RFID UHF Tag.]]></article-title>
<source><![CDATA[Circuits, Communications and Systems, 2009]]></source>
<year>2009</year>
<publisher-name><![CDATA[PACCS'09. Pacific-Asia Conference on]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B10">
<label>10</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Bakhtiar]]></surname>
<given-names><![CDATA[A.S.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[M.S.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Jalali]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[S.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Mirabbasi]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[A high-efficiency CMOS rectifier for low-power RFID tags]]></article-title>
<source><![CDATA[RFID]]></source>
<year>2010</year>
<publisher-name><![CDATA[2010 IEEE International Conference on]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B11">
<label>11</label><nlm-citation citation-type="journal">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Le]]></surname>
<given-names><![CDATA[T.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[K.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Mayaram]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[T.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Fiez]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[Efficient far-field radio frequency energy harvesting for passively powered sensor networks.]]></article-title>
<source><![CDATA[Solid-State Circuits]]></source>
<year>2008</year>
<volume>43</volume>
<numero>5</numero>
<issue>5</issue>
<page-range>1287-1302</page-range><publisher-name><![CDATA[IEEE Journal o]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B12">
<label>12</label><nlm-citation citation-type="book">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Faghihi]]></surname>
<given-names><![CDATA[S.]]></given-names>
</name>
<name>
<surname><![CDATA[M.]]></surname>
<given-names><![CDATA[Moallem]]></given-names>
</name>
</person-group>
<article-title xml:lang="en"><![CDATA[Analysis and design of a low power electronics circuit for energy harvesting applications.]]></article-title>
<source><![CDATA[Industrial Electronics (ISIE)]]></source>
<year>2012</year>
<publisher-name><![CDATA[2012 IEEE International Symposium on]]></publisher-name>
</nlm-citation>
</ref>
<ref id="B13">
<label>13</label><nlm-citation citation-type="">
<person-group person-group-type="author">
<name>
<surname><![CDATA[Jiang]]></surname>
<given-names><![CDATA[S.]]></given-names>
</name>
</person-group>
<source><![CDATA[Optimum wireless power transmission for sensors embedded in concrete]]></source>
<year>2011</year>
</nlm-citation>
</ref>
</ref-list>
</back>
</article>
